细胞凋亡(apoptosis,APO)，又称为程序性细胞死亡(programmed cell death,PCD)，是细胞受到生理或某些病理信号刺激后通过启动自身内部机制，主要是通过内源性核酸内切酶激活而发生的细胞死亡过程，是基因调控下的主动“细胞自杀”，在多种组织和器官发育的特定阶段及各种组织的生长调节和自身反应免疫细胞的清除中发挥重要作用[1～3]，许多研究表明神经细胞凋亡参与了缺血后的脑损伤。

    1 脑缺血与神经细胞凋亡

    许多研究表明，无论弥漫性脑缺血还是局灶性脑缺血均可引起神经元凋亡，其凋亡细胞的多少、发生部位与缺血时间、程度及神经元的敏感性有关[4]。

    Macmanus[5]等首先报道了大鼠脑缺血后“半暗区”出现大量的凋亡细胞。储照虎[6]对大鼠局灶性脑缺血再灌注后观察，TUNEL凋亡细胞位于细胞核内，于再灌注30min时出现少量，位于纹状体水肿区周边；6h时基底节区水肿加剧，其间出现小梗死灶，凋亡细胞位于其边缘；24h时基底节区梗死灶扩大，边缘见大量凋亡细胞，皮层亦见凋亡细胞；72h时凋亡细胞位于基底节及皮层的梗死灶外缘。

    Nitatori[7]等应用沙土鼠前脑缺血5min模型，缺血后第3天海马CAI区锥体细胞显示DNA片段，第4天凝胶电泳显示DNA梯，同时电镜观察发现核染色质凝集及凋亡小体；Sei[8]用沙土鼠前脑缺血10min模型，定量分析发现12h海马CAI区即可见DNA片段，48h达高峰，5天后仍可检测到，TUNEL显示DNA片段主要位于海马CAI区神经元内；Volpe[9]在大鼠弥漫性脑缺血的研究中，发现脑缺血后几小时在纹状体可检测到TUNEI标记阳性的神经元，而海马第3天可检测到，凝胶电泳DNA梯与TUNEL标记具有相同的时程关系，提示短暂前脑缺血后选择易损神经元的死亡伴有内切酶的激活，细胞凋亡参与了海马迟发性神经元死亡的发生。其他学者对大鼠弥漫性缺血的研究与以上结果基本一致[10，11]。

    另外，脑缺血再灌注损伤后的神经细胞凋亡离不开基因的参与。因为细胞凋亡是细胞接受某种信号或受到某些因素刺激后产生的一种主动的，由一些凋亡相关基因相互作用的细胞自然消亡过程。某些基因如bcl、bax等参与细胞凋亡的调控过程，bax/bcl比值可决定细胞是否凋亡：bax高表达引起凋亡 ......