DNA损伤剂上调hALP基因表达及hALP基因对DNA损伤抵抗作用的研究
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参见附件。
目的 确定端粒酶调节相关hALP基因对DNA损伤的反应、作用和机制。 方法 以DNA损伤剂H2O2和顺铂处理人HeLa、Hep2细胞，运用定量逆转录-多聚酶链式反应和免疫荧光观察hALP 基因表达的改变，并以荧光素酶报告基因法测定hALP基因启动子活性变化。 通过MTT法分析不同hALP基因表达状态下DNA损伤剂对细胞生长的影响。 结果 0.2 ~ 1.6 mmol/L H2O2可诱导hALP mRNA水平升高，当浓度为0.4 mmol/L时，hALP mRNA水平最高；以0.4 mmol/L H2O2处理细胞6小时即可观察到hALP mRNA水平显著升高，并在36小时内保持高水平。顺铂处理细胞也可以上调hALP的 mRNA表达，并呈一定的剂量和时间依赖性。免疫荧光检测发现：在0.2或0.4 mmol/L H2O2、0.2或0.5 µmol/L 顺铂处理细胞12小时后，hALP的表达水平升高，并且多聚集于细胞核。H2O2和顺铂处理细胞时可通过hALP基因启动子-705 ~ +20 nt区域的序列上调其启动子转录活性。H2O2(0.4 mmol/L)或顺铂(0.5 µmol/L)处理HeLa细胞时，表达正义hALP基因的细胞生长仍活跃生长，而表达反义hALP基因和对照组的细胞则生长相对缓慢。结论 DNA损伤可通过激活hALP基因启动子转录活性而上调其表达，hALP基因的表达可以增强细胞对H2O2和顺铂损伤的抵抗性。
目的 确定端粒酶调节相关hALP基因对DNA损伤的反应、作用和机制。 方法 以DNA损伤剂H2O2和顺铂处理人HeLa、Hep2细胞，运用定量逆转录-多聚酶链式反应和免疫荧光观察hALP 基因表达的改变，并以荧光素酶报告基因法测定hALP基因启动子活性变化。 通过MTT法分析不同hALP基因表达状态下DNA损伤剂对细胞生长的影响。 结果 0.2 ~ 1.6 mmol/L H2O2可诱导hALP mRNA水平升高，当浓度为0.4 mmol/L时，hALP mRNA水平最高；以0.4 mmol/L H2O2处理细胞6小时即可观察到hALP mRNA水平显著升高，并在36小时内保持高水平。顺铂处理细胞也可以上调hALP的 mRNA表达，并呈一定的剂量和时间依赖性。免疫荧光检测发现：在0.2或0.4 mmol/L H2O2、0.2或0.5 µmol/L 顺铂处理细胞12小时后，hALP的表达水平升高，并且多聚集于细胞核。H2O2和顺铂处理细胞时可通过hALP基因启动子-705 ~ +20 nt区域的序列上调其启动子转录活性。H2O2(0.4 mmol/L)或顺铂(0.5 µmol/L)处理HeLa细胞时，表达正义hALP基因的细胞生长仍活跃生长，而表达反义hALP基因和对照组的细胞则生长相对缓慢。结论 DNA损伤可通过激活hALP基因启动子转录活性而上调其表达，hALP基因的表达可以增强细胞对H2O2和顺铂损伤的抵抗性。
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