当前位置: 首页 > 期刊 > 《华西口腔医学杂志》 > 2012年第4期
编号:12825879
细胞内渗透压改变对三叉神经电压门控钠离子通道电流的影响
http://www.100md.com 2012年4月1日 沈颉飞 王海业 麻颖宜 刘云飞 张书垣 杜莉
三叉神经节神经元,渗透压浓度,电生理特性
第1页

    参见附件。

     [摘要] 目的 探讨细胞内液渗透压对三叉神经节神经元(TRGN)上的电压门控钠离子通道(VGSCs)的生物力学影响。方法 TRGN细胞从SD乳鼠分离出来之后,运用膜片钳全细胞记录的方法对VGSCs电流进行记录和分析,通过调节电极内液的组成成分来控制细胞内液渗透压;再与正常渗透压相对比,探讨低渗(260 mOsm)和高渗(350 mOsm)对通道激活和失活动力学的影响。结果 与对照组相比较,细胞内液低渗刺激可以影响VGSCs电流的激活和失活特性,包括V0. 5、失活曲线(G-V曲线)特征均有明显的统计学意义(P<0.05);然而对于细胞内高渗刺激,仅VGSCs电流的失活特性有一定改变,包括失活速率和k值。结论 三叉神经细胞上VGSCs的动力学参数可以通过细胞内液低渗和高渗进行调节,并可表现为不同的特征。

    [关键词] 三叉神经节神经元; 渗透压浓度; 电压门控钠离子通道; 电生理特性

    [中图分类号] R 741 [文献标志码] A [doi] 10.3969/j.issn.1000-1182.2012.04.002

您现在查看是摘要介绍页,详见PDF附件