不同记忆负荷水平下执行控制的ERP效应(2)
对P3峰值进行重复测量的方差分析,结果表明记忆负荷主效应显著,F(2, 38)=10.854,P<0.001,随着记忆负荷逐步增加,P3波幅逐渐下降;电极主效应显著,F(4, 68)=9.145,P<0.001,0、1、2三种负荷水平下均为Pz点的P3波幅最大,分别为(11.95±5.44)μV、(10.71±4.61)μV、(7.91±5.88)μV;负荷×电极交互效应显著:F(6,106)=2.966, P<0.05。简单效应表明,0-back的P3波幅显著高于1-back及2-back,F(1, 19)=6.390,P<0.05,F(1, 19)=14.875,P<0.01,而1-back的P3波幅又显著高于2-back,F(1, 19)=7.598,P<0.05。
对P3峰潜伏期进行重复测量方差分析,电极主效应显著,F(4, 80)=4.315,P<0.01,0-back任务中Pz的峰潜伏期最长(432.7±51.62)ms;而在1、2两种负荷水平下,均为P3的峰潜伏期最长,分别为(418.9±48.17)ms和(434.3±63.75)ms,未发现显著的记忆负荷主效应及负荷×电极的交互效应。
2.3 差异波N450成分及其脑电地形图
用较高记忆负荷的ERP波形减去较低记忆负荷的ERP波形,得到1-0、2-0、2-1三类差异波(见图2),三类差异波均包含分布于300ms-700ms时段一明显的差异负成分N450 ......
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