脑缺血再灌注损伤及脑保护药物研究进展
1脑缺血再灌注损伤机制,2脑损伤保护机制,3缺血再灌注损伤药物治疗进展
崔小英 于建设 都义日 温再和脑缺血再灌注损伤及脑保护药物研究进展
崔小英于建设都义日温再和
【摘要】脑是一个对缺血缺氧最为敏感的器官,近年来,脑血管病的发病率逐年升高,在这一疾病发生发展过程中,缺血再灌注损伤(ischemia reperfusion injury)在脑血管病的发生发展中起着重要的作用。缺血再灌注致使神经元损伤的过程复杂,主要机制为线粒体受损、能量代谢异常、钙超载、兴奋性氨基酸(excitatory amino acids,EAAs)的神经毒性、自由基的积累、炎症相关介质产生等,致使细胞凋亡程序激活。通过对以上各机制的深入研究有助于明确各种脑保护药物的作用靶点。本文就脑缺血再灌注导致脑损伤的相关机制及最新治疗药物进展进行综述。
【关键词】脑缺血再灌注损伤;脑保护;药物
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脑缺血再灌注损伤是指脑组织缺血一定时间后再恢复血液灌注,脑组织细胞损伤反而进一步加重。通过对发病机制的深入研究有助于开发新的脑保护药物,并进一步明确各种脑保护药物的治疗靶点和疗效。
1 脑缺血再灌注损伤机制
脑缺血再灌注损伤机制十分复杂,主要机制为线粒体损伤能量代谢障碍、钙超载、兴奋性氨基酸(excitatory amino acids,EAAs)的神经毒性、氧自由基的累积、炎性反应等。
1.1EAAs其在神经系统中是兴奋性神经递质,过多的EAAs具有神经毒作用,刺激N-甲基-D天冬氨酸受体(N-methyl-D-aspartatereceptor,NMDAR)引起受体门控的离子通道开放,细胞外的钙离子内流。脑缺血时脑细胞的供血不足,脑细胞缺乏葡萄糖糖和氧供应,细胞外谷氨酸累积流,钙离子内流;另外,大量自由基产生可改变细胞膜的通透性,钙离子内流;晚期及再灌注期则以炎性反应为主,自由基损伤和钙离子超载的作用进一步增加,大量兴奋性神经递质的释放,脑损伤进入恶性循环。
1.2线粒体损伤线粒体是神经细胞缺血受损的靶细胞器,线粒体凋亡是细胞凋亡的第一步。线粒体功能损伤机制主要与自由基损伤、钙超载等相关。缺血再灌注后产生大量自由基攻击线粒体,使其结构和功能破坏,导致大量离子内流,使线粒体肿胀、分解;同时呼吸链酶的活性受到影响,细胞色素C(cytc)从线粒体进入到细胞质,caspase基因激活,启动细胞凋亡;脑缺血后脑内高能磷酸物质快速消耗,线粒体ATP生成减少,能量供应不足则糖无氧代谢,产生乳酸,形成细胞内酸中毒和高渗透压 ......
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