脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道的研究进展

http://www.100md.com 2011年1月1日 付于

离子型谷氨酸受体,兴奋性毒性,细胞内,神经细胞损伤,兴奋性氨基酸,代谢反应,发生机制

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    付于 天津中医药大学第一附属医院;

    【摘要】正脑缺血再灌注损伤具有复杂的发生机制,大量研究表明,脑缺血再灌注损伤主要与钙超载、兴奋性氨基酸、氧化应激反应、炎症反应、脑水肿和细胞凋亡等有关。其中,Ca2+超载及其触发的一系列有害代谢反应是导致缺血再灌注损伤神经细胞损伤

    【关键词】 脑缺血再灌注损伤 离子型谷氨酸受体 钙离子通道 兴奋性毒性 依赖性 细胞内 神经细胞损伤 兴奋性氨基酸 代谢反应 发生机制

    【分类号】R741

    脑缺血再灌注损伤具有复杂的发生机制,大量研究表明,脑缺血再灌注损伤主要与钙超载、兴奋性氨基酸、氧化应激反应、炎症反应、脑水肿和细胞凋亡等有关。其中,Ca2+超载及其触发的一系列有害代谢反应是导致缺血再灌注损伤神经细胞损伤和死亡的“最后共同通路”[1-2]。目前普遍

    http://www.100md.com/html/paper/1672-1349/2011/01/56.htm

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