应用事件相关电位N400在39例失语症患者中的应用(1)
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[摘要] 目的 探讨事件相关电位N400在脑卒中后失语症患者康复治疗中的意义。 方法 选择2010年3月～2012年8月于河北联合大学附属医院住院治疗的脑卒中后失语症患者39为失语组，选择同期脑卒中后无失语症患者78例为对照组；两组分别进行事件相关电位N400的检查，比较两组在潜伏期和波幅方面的差异。 结果 失语组在Fz、Pz、C3、C4的N400潜伏期[(435.2±51.0)、(426.1±42.8)、(427.9±49.8)、(416.8±47.6)ms]长于对照组[(375.5±32.6)、(375.6±36.9)、(363.9±34.8)、(372.3±35.7)ms]，差异均有统计学意义(P < 0.05)；失语组在Fz、Pz、C3、C4的N400波幅[(3.0±1.9)、(2.8±1.4)、(3.1±1.5)、(2.7±1.3)μV]高于对照组[(1.7±0.8)、(1.9±0.9)、(1.7±0.8)、(1.9±0.9)μV]，差异均有统计学意义(P < 0.05)。 结论 N400对于反映脑卒中后失语症患者语言功能障碍程度有一定的作用，可以在脑卒中后失语症的康复治疗中发挥作用。
[关键词] 脑卒中；失语症；事件相关电位
[中图分类号] R741.044 [文献标识码] A [文章编号] 1673-7210(2013)06(b)-0055-03
N400为语言认知事件相关电位(event-related potential，ERP)中的负相波，多在250～500 ms出现，但是在400 ms呈现最高峰，目前有研究认为其反映的是大脑皮层对语言的认知加工过程[1] ......
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